Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD220N06L3GBTMA1

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Options de conditionnement :
N° de stock RS:
110-7435
Référence fabricant:
IPD220N06L3GBTMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

OptiMOS™ 3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

39.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

36 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

7 nC @ 4.5 V

Length

6.73mm

Number of Elements per Chip

1

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Forward Diode Voltage

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.41mm

Statut RoHS non applicable

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