Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET, 3 A, 12 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2315ES-T1_GE3

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N° de stock RS:
819-3901
Référence fabricant:
SQ2315ES-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Series

SQ Rugged

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

92mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.4nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

3.04mm

Standards/Approvals

No

Height

1.02mm

Width

1.4 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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