Vishay SQ Type P-Channel Power MOSFET, 2.8 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2361ES-T1_GE3

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152-6376
Référence fabricant:
SQ2361ES-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

2.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SQ

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.177Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

1.4 mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Length

3.04mm

Height

1.02mm

Automotive Standard

AEC-Q101

TrenchFET® power MOSFET

Material categorization 

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