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Vishay SQ Type P-Channel Power MOSFET, 2.8 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2361ES-T1_GE3

N° de stock RS:: 152-6376
Référence fabricant:: SQ2361ES-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SQ Type P-Channel Power MOSFET, 2.8 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2361ES-T1_GE3

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N° de stock RS:: 152-6376
Référence fabricant:: SQ2361ES-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	SQ
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.177Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	AEC-Q101
	Width	1.4mm
	Length	3.04mm
	Height	1.02mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series SQ
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.177Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals AEC-Q101
	Width 1.4mm
	Length 3.04mm
	Height 1.02mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet

TrenchFET® power MOSFET

Material categorization 

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