Vishay P-Channel MOSFET, 11.5 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7129DN-T1-GE3

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N° de stock RS:
818-1384
Référence fabricant:
SI7129DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

11.5 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

52.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

3.15mm

Number of Elements per Chip

1

Width

3.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

47.5 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Height

1.07mm

Minimum Operating Temperature

-50 °C

Pays d'origine :
CN

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor



MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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