Vishay SiRA74DP Type N-Channel MOSFET, 81.2 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiRA74DP-T1-GE3

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210-5009
Référence fabricant:
SiRA74DP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

81.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

SiRA74DP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

27nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

46.2W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.25mm

Height

1.12mm

Standards/Approvals

No

Width

5.26 mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 40 V (D-S) 150 °C MOSFET has PowerPAK SO-8 package type.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Tuned for the lowest RDS-Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

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Optimized for wave soldering

Flexible leads increase resilience to board flexing

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