Vishay Si2323DDS Type P-Channel MOSFET, 4.3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2323DDS-T1-GE3

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812-3110
Référence fabricant:
SI2323DDS-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOT-23

Series

Si2323DDS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

75mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-0.79V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.04mm

Height

1.02mm

Standards/Approvals

No

Width

1.4 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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