Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 Si2387DS-T1-GE3

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228-2814
Référence fabricant:
Si2387DS-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SOT-23

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

11Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1.12mm

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET Gen IV P-Channel power MOSFET is use for load switch, circuit protection and motor drive control.

100 % Rg and UIS tested

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