Références fabricant

onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 66 A, 30 V, 3-Pin DPAK FDD6670A

N° de stock RS:: 809-0907P
Référence fabricant:: FDD6670A
Fabricant:: onsemi

onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 66 A, 30 V, 3-Pin DPAK FDD6670A

Indisponible

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N° de stock RS:: 809-0907P
Référence fabricant:: FDD6670A
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current	66 A
	Maximum Drain Source Voltage	30 V
	Package Type	DPAK (TO-252)
	Series	PowerTrench
	Mounting Type	Surface Mount
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance	13 mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Gate Threshold Voltage	1V
	Maximum Power Dissipation	63 W
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
	Maximum Operating Temperature	+175 °C
	Transistor Material	Si
	Number of Elements per Chip	1
	Length	6.73mm
	Width	6.22mm
	Typical Gate Charge @ Vgs	16 nC @ 5 V
	Height	2.39mm
	Minimum Operating Temperature	-55 °C

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current 66 A
	Maximum Drain Source Voltage 30 V
	Package Type DPAK (TO-252)
	Series PowerTrench
	Mounting Type Surface Mount
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance 13 mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Gate Threshold Voltage 1V
	Maximum Power Dissipation 63 W
	Transistor Configuration Single
	Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
	Maximum Operating Temperature +175 °C
	Transistor Material Si
	Number of Elements per Chip 1
	Length 6.73mm
	Width 6.22mm
	Typical Gate Charge @ Vgs 16 nC @ 5 V
	Height 2.39mm
	Minimum Operating Temperature -55 °C

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