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onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin WDFN FDMC8010

N° de stock RS:: 774-1187
Référence fabricant:: FDMC8010
Fabricant:: onsemi

onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin WDFN FDMC8010

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N° de stock RS:: 774-1187
Référence fabricant:: FDMC8010
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	WDFN
	Series	PowerTrench
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	54W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	67nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.75mm
	Standards/Approvals	No
	Width	3.3mm
	Length	3.3mm
	Automotive Standard	No

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	Marque onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type WDFN
	Series PowerTrench
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 54W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 67nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.75mm
	Standards/Approvals No
	Width 3.3mm
	Length 3.3mm
	Automotive Standard No

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 20A to 59.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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