Références fabricant

onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 12.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS6680A

N° de stock RS:: 166-1691
Référence fabricant:: FDS6680A
Fabricant:: onsemi

onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 12.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS6680A

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N° de stock RS:: 166-1691
Référence fabricant:: FDS6680A
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	12.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	PowerTrench
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	16nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Forward Voltage Vf	700mV
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5mm
	Width	4mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.5mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 12.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series PowerTrench
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Forward Voltage Vf 700mV
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5mm
	Width 4mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.5mm
	Automotive Standard No

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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