Vishay SiR870ADP Type N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR870ADP-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 787-9355
- Référence fabricant:
- SIR870ADP-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
8,30 €
(TVA exclue)
10,05 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 4 745 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,66 € | 8,30 € |
| 50 - 120 | 1,494 € | 7,47 € |
| 125 - 245 | 1,326 € | 6,63 € |
| 250 - 495 | 1,248 € | 6,24 € |
| 500 + | 1,162 € | 5,81 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 787-9355
- Référence fabricant:
- SIR870ADP-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | SiR870ADP | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 53.5nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.25mm | |
| Width | 5.26 mm | |
| Height | 1.12mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series SiR870ADP | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 53.5nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.25mm | ||
Width 5.26 mm | ||
Height 1.12mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Liens connexes
- Vishay SiR870ADP Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Si7164DP Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7164DP-T1-GE3
- Vishay SI9634DY 4 Dual N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI9634DY-T1-GE3
- Vishay Type N 8 A 8-Pin SO-8 SI4534DY-T1-GE3
- Vishay Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR1309DP-T1-GE3
- Vishay SiJ462ADP Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SiJ462ADP-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V PowerPAK SO-8 SIRA10DP-T1-GE3
- Vishay Si7164DP Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8