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Vishay SiR870ADP Type N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR870ADP-T1-GE3

N° de stock RS:: 787-9355
Référence fabricant:: SIR870ADP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiR870ADP Type N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR870ADP-T1-GE3

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50 - 120	1,494 €	7,47 €
125 - 245	1,326 €	6,63 €
250 - 495	1,248 €	6,24 €
500 +	1,162 €	5,81 €

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N° de stock RS:: 787-9355
Référence fabricant:: SIR870ADP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	SiR870ADP
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	53.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd	104W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.25mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.12mm
	Width	5.26 mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series SiR870ADP
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 53.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd 104W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.25mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.12mm
	Width 5.26 mm
	Automotive Standard No

Vishay SiR870ADP Type N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR870ADP-T1-GE3

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N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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