Vishay SI9634DY 4 Dual N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI9634DY-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 268-8283
- Référence fabricant:
- SI9634DY-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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- Fabricant:
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Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Dual N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | SI9634DY | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 60 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested | |
| Number of Elements per Chip | 4 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Dual N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series SI9634DY | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 60 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested | ||
Number of Elements per Chip 4 | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay dual N channel TrenchFET 4 generation power MOSFET that is fully lead pb and halogen free device. It is optimized and ratio reduces switching related power loss and it is used in applications such as synchronous rectification, motor drive contr
ROHS compliant
UIS tested 100 percent
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