Vishay SiJ462ADP Type N-Channel MOSFET, 39.3 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SiJ462ADP-T1-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 20 unités)*

23,04 €

(TVA exclue)

27,88 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 10 mai 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
20 - 801,152 €23,04 €
100 - 1800,922 €18,44 €
200 - 4800,864 €17,28 €
500 - 9800,807 €16,14 €
1000 +0,749 €14,98 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
204-7215
Référence fabricant:
SiJ462ADP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

39.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

SiJ462ADP

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

22.3W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

6.25mm

Length

5.25mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 60 V (D-S) MOSFET has a very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency. It's flexible leads provide resilience to mechanical stress.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes