Vishay SiJ462ADP Type N-Channel MOSFET, 39.3 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SiJ462ADP-T1-GE3

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Référence fabricant:
SiJ462ADP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

39.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

SiJ462ADP

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

22.3W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.14 mm

Height

6.25mm

Length

5.25mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 60 V (D-S) MOSFET has a very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency. It's flexible leads provide resilience to mechanical stress.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

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