onsemi Isolated 2 Type P-Channel Power MOSFET, 4.1 A, 20 V Enhancement, 8-Pin ChipFET NTHD4102PT1G

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780-0589
Référence fabricant:
NTHD4102PT1G
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Channel Type

Type P

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

ChipFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

170mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-0.8V

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.1W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.6nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Width

1.7 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.1mm

Length

3.1mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor


MOSFET Transistors, ON Semiconductor


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