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onsemi Isolated 2 Type P-Channel Power MOSFET, 4.1 A, 20 V Enhancement, 8-Pin ChipFET NTHD4102PT1G

N° de stock RS:: 780-0589
Référence fabricant:: NTHD4102PT1G
Fabricant:: onsemi

onsemi Isolated 2 Type P-Channel Power MOSFET, 4.1 A, 20 V Enhancement, 8-Pin ChipFET NTHD4102PT1G

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N° de stock RS:: 780-0589
Référence fabricant:: NTHD4102PT1G
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	Type P
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	ChipFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	170mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-0.8V
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	7.6nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Maximum Power Dissipation Pd	2.1W
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Height	1.1mm
	Width	1.7 mm
	Length	3.1mm
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type Type P
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type ChipFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 170mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -0.8V
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.6nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Maximum Power Dissipation Pd 2.1W
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Isolated
	Height 1.1mm
	Width 1.7 mm
	Length 3.1mm
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

onsemi Isolated 2 Type P-Channel Power MOSFET, 4.1 A, 20 V Enhancement, 8-Pin ChipFET NTHD4102PT1G

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