onsemi Isolated 2 Type P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 NTJD4152PT1G

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780-0611
Référence fabricant:
NTJD4152PT1G
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

880mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

1Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

350mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±12 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-0.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.2nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

No

Length

2.2mm

Width

1.35 mm

Height

1mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor


MOSFET Transistors, ON Semiconductor


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