onsemi Isolated 2 Type P-Channel Power MOSFET, 4.1 A, 20 V Enhancement, 8-Pin ChipFET

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

858,00 €

(TVA exclue)

1 038,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Commandes ci-dessous 75,00 € coût (TVA exclue) 5,95 €.
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 22 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,286 €858,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
163-1110
Référence fabricant:
NTHD4102PT1G
Fabricant:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Channel Type

Type P

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

ChipFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

170mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-0.8V

Minimum Operating Temperature

150°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.6nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.1W

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Height

1.1mm

Width

1.7 mm

Length

3.1mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
MY

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor


MOSFET Transistors, ON Semiconductor


Liens connexes