onsemi Isolated 2 Type P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

234,00 €

(TVA exclue)

282,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Pénurie d'approvisionnement
  • 21 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Notre stock actuel est limité et nos fournisseurs s'attendent à des pénuries.
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,078 €234,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
163-1117
Référence fabricant:
NTJD4152PT1G
Fabricant:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

880mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±12 V

Maximum Power Dissipation Pd

350mW

Forward Voltage Vf

-0.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.2nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Isolated

Length

2.2mm

Standards/Approvals

No

Height

1mm

Width

1.35 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor


MOSFET Transistors, ON Semiconductor


Liens connexes