Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 350 mA, 240 V Depletion, 4-Pin SOT-223 BSP129H6327XTSA1

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753-2800
Référence fabricant:
BSP129H6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

350mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

240V

Series

SIPMOS

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

20Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.8nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.8W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.6mm

Standards/Approvals

No

Length

6.5mm

Width

3.5 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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