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Vishay P-Channel MOSFET Transistor, 2.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 SI2301BDS-T1-E3

N° de stock RS:: 710-4660
Référence fabricant:: SI2301BDS-T1-E3
Fabricant:: Vishay

Vishay P-Channel MOSFET Transistor, 2.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 SI2301BDS-T1-E3

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Unité	Prix par unité	le paquet*
20 - 80	0,322 €	6,44 €
100 - 180	0,205 €	4,10 €
200 - 380	0,201 €	4,02 €
400 - 980	0,196 €	3,92 €
1000 +	0,136 €	2,72 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 710-4660
Référence fabricant:: SI2301BDS-T1-E3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	P
	Maximum Continuous Drain Current	2.2 A
	Maximum Drain Source Voltage	20 V
	Package Type	SOT-23
	Mounting Type	Surface Mount
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance	100 mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Gate Threshold Voltage	0.45V
	Maximum Power Dissipation	700 mW
	Maximum Gate Source Voltage	-8 V, +8 V
	Width	1.4mm
	Typical Gate Charge @ Vgs	4.5 nC @ 4.5 V
	Number of Elements per Chip	1
	Maximum Operating Temperature	+150 °C
	Length	3.04mm
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Height	1.02mm

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type P
	Maximum Continuous Drain Current 2.2 A
	Maximum Drain Source Voltage 20 V
	Package Type SOT-23
	Mounting Type Surface Mount
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance 100 mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Gate Threshold Voltage 0.45V
	Maximum Power Dissipation 700 mW
	Maximum Gate Source Voltage -8 V, +8 V
	Width 1.4mm
	Typical Gate Charge @ Vgs 4.5 nC @ 4.5 V
	Number of Elements per Chip 1
	Maximum Operating Temperature +150 °C
	Length 3.04mm
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Height 1.02mm

Datasheet

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Vishay P-Channel MOSFET Transistor, 2.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 SI2301BDS-T1-E3

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

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