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Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3.5 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2307CDS-T1-GE3

N° de stock RS:: 180-7738
Référence fabricant:: SI2307CDS-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3.5 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2307CDS-T1-GE3

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Unité	Prix par unité	le paquet*
25 - 225	0,426 €	10,65 €
250 - 600	0,417 €	10,43 €
625 - 1225	0,315 €	7,88 €
1250 - 2475	0,252 €	6,30 €
2500 +	0,192 €	4,80 €

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N° de stock RS:: 180-7738
Référence fabricant:: SI2307CDS-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	138mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.1nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1.14W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	2.64mm
	Standards/Approvals	No
	Length	3.04mm
	Height	1.12mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series TrenchFET
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 138mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.1nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1.14W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 2.64mm
	Standards/Approvals No
	Length 3.04mm
	Height 1.12mm
	Automotive Standard No

Datasheet

Pays d'origine :: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount dual P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 30V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 88mohm at a gate-source voltage of 10V. It has continuous drain current of 3.5A and a maximum power rating of 1.8W. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 4.5V and 10V respectively. It has application in load switches for portable devices. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

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