Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 290 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP4468PBF

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688-7014
Référence fabricant:
IRFP4468PBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

290A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

520W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

360nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

5.31 mm

Height

20.7mm

Length

15.87mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon


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