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Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 290 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP4468PBF

N° de stock RS:: 688-7014
Référence fabricant:: IRFP4468PBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 290 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP4468PBF

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N° de stock RS:: 688-7014
Référence fabricant:: IRFP4468PBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	290A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-247
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	360nC
	Maximum Power Dissipation Pd	520W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Height	20.7mm
	Width	5.31 mm
	Length	15.87mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 290A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-247
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 360nC
	Maximum Power Dissipation Pd 520W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Height 20.7mm
	Width 5.31 mm
	Length 15.87mm
	Automotive Standard No

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