Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 483 A, 100 V Enhancement TO-247 IRF100P218AKMA1

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258-3951
Référence fabricant:
IRF100P218AKMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

483A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-247

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.28mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

+175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET StrongIRFET is improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.

UPS and Inverter applications

Half-bridge and full-bridge topologies

Resonant mode power supplies

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