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Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP4110PBF

N° de stock RS:: 688-6995
Référence fabricant:: IRFP4110PBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP4110PBF

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Unité	Prix par unité	le paquet*
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20 - 48	2,87 €	5,74 €
50 - 98	2,675 €	5,35 €
100 - 198	2,51 €	5,02 €
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N° de stock RS:: 688-6995
Référence fabricant:: IRFP4110PBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-247
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	370W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	150nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	15.87mm
	Height	20.7mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-247
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 370W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 150nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 15.87mm
	Height 20.7mm
	Automotive Standard No

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