onsemi QFET Type P-Channel MOSFET, 11.5 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FQB12P20TM
- N° de stock RS:
- 671-0860
- Référence fabricant:
- FQB12P20TM
- Fabricant:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,61 € | 18,05 € |
| 50 - 95 | 3,25 € | 16,25 € |
| 100 + | 2,888 € | 14,44 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 671-0860
- Référence fabricant:
- FQB12P20TM
- Fabricant:
- onsemi
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | QFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 470mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.13W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Forward Voltage Vf | -5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.83mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Width | 9.65mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series QFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 470mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.13W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Forward Voltage Vf -5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.83mm | ||
Length 10.67mm | ||
Width 9.65mm | ||
Automotive Standard No | ||
Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
Features and Benefits:
Applications:
MOSFET Transistors, ON Semi
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