Vishay IRF840A Type N-Channel MOSFET, 8 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 542-9440
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-23-891
- Référence fabricant:
- IRF840APBF
- Fabricant:
- Vishay
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- Numéro d'article Distrelec:
- 304-23-891
- Référence fabricant:
- IRF840APBF
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | IRF840A | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 850mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4.7 mm | |
| Length | 10.41mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 9.01mm | |
| Distrelec Product Id | 30423891 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series IRF840A | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 850mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4.7 mm | ||
Length 10.41mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 9.01mm | ||
Distrelec Product Id 30423891 | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay power MOSFET has low gate charge Qg results in simple drive requirement and it has improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness.
Operating junction and storage temperature range - 55 to + 150°C
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