Vishay IRF830A Type N-Channel MOSFET, 5 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF830APBF
- N° de stock RS:
- 178-0834
- Référence fabricant:
- IRF830APBF
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 tube de 50 unités)*
57,30 €
(TVA exclue)
69,35 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 700 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,146 € | 57,30 € |
| 100 - 200 | 1,089 € | 54,45 € |
| 250 + | 1,032 € | 51,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 178-0834
- Référence fabricant:
- IRF830APBF
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Series | IRF830A | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 74W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 9.01mm | |
| Length | 10.41mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.7 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Series IRF830A | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 74W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 9.01mm | ||
Length 10.41mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.7 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay power MOSFET has low gate charge Qg results in simple drive requirement and it has improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness.
Operating junction and storage temperature range - 55 to + 150°C
Liens connexes
- Vishay IRF830A Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF830A Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay IRF830A Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF830ASPBF
- Vishay IRF Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF840LC Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF840A Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRFB Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRFB Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB11N50APBF