Vishay IRF Type N-Channel MOSFET, 2.5 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220

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542-9412
Référence fabricant:
IRF820APBF
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Series

IRF

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Power Dissipation Pd

50W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

4.7 mm

Height

9.01mm

Length

10.41mm

Automotive Standard

No

The Vishay power MOSFET has low gate charge Qg results in simple drive requirement and it has improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness.

Operating junction and storage temperature range - 55 to + 150°C

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