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Vishay IRF N-Channel MOSFET, 2.5 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF820APBF

N° de stock RS:: 542-9412
Référence fabricant:: IRF820APBF
Fabricant:: Vishay

Vishay IRF N-Channel MOSFET, 2.5 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF820APBF

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N° de stock RS:: 542-9412
Référence fabricant:: IRF820APBF
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	500V
	Series	IRF
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	17nC
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-30V, +30V
	Maximum Power Dissipation Pd	50W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	4.7mm
	Length	10.41mm
	Height	9.01mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 500V
	Series IRF
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -30V, +30V
	Maximum Power Dissipation Pd 50W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 4.7mm
	Length 10.41mm
	Height 9.01mm
	Automotive Standard No

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The Vishay power MOSFET has low gate charge Qg results in simple drive requirement and it has improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness.

Operating junction and storage temperature range - 55 to + 150°C

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