Vishay IRF Type N-Channel MOSFET, 2.5 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220

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542-9412
Référence fabricant:
IRF820APBF
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Series

IRF

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17nC

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Power Dissipation Pd

50W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

9.01mm

Standards/Approvals

No

Length

10.41mm

Automotive Standard

No

The Vishay power MOSFET has low gate charge Qg results in simple drive requirement and it has improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness.

Operating junction and storage temperature range - 55 to + 150°C

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