Vishay IRF Type N-Channel MOSFET, 2.5 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF820PBF

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178-0851
Référence fabricant:
IRF820PBF
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Package Type

TO-220

Series

IRF

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

50W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.41mm

Standards/Approvals

No

Height

9.01mm

Width

4.7 mm

Automotive Standard

No

The Vishay third generation power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W.

Dynamic dV/dt rating

Repetitive avalanche rated

Simple drive requirements

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