Vishay IRF Type N-Channel MOSFET, 2.5 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF820APBF
- N° de stock RS:
- 178-0833
- Référence fabricant:
- IRF820APBF
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 tube de 50 unités)*
35,50 €
(TVA exclue)
43,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Dernier stock RS
- 700 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,71 € | 35,50 € |
| 100 - 200 | 0,675 € | 33,75 € |
| 250 + | 0,639 € | 31,95 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 178-0833
- Référence fabricant:
- IRF820APBF
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Series | IRF | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 50W | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.41mm | |
| Height | 9.01mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.7 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Series IRF | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 50W | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.41mm | ||
Height 9.01mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.7 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay power MOSFET has low gate charge Qg results in simple drive requirement and it has improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness.
Operating junction and storage temperature range - 55 to + 150°C
Liens connexes
- Vishay N-Channel MOSFET 500 V, 3-Pin TO-220AB IRF820APBF
- Vishay N-Channel MOSFET 500 V, 3-Pin TO-220AB IRF820PBF
- Vishay N-Channel MOSFET 500 V, 3-Pin TO-220AB IRF840LCPBF
- Vishay N-Channel MOSFET 500 V, 3-Pin TO-220AB IRFB13N50APBF
- Vishay N-Channel MOSFET 500 V, 3-Pin TO-220AB IRF830APBF
- Vishay N-Channel MOSFET 500 V, 3-Pin TO-220AB IRFB11N50APBF
- Vishay N-Channel MOSFET 500 V, 3-Pin TO-220AB IRF840APBF
- Vishay N-Channel MOSFET 500 V, 3-Pin TO-220AB IRF840PBF
