Vishay IRF Type N-Channel MOSFET, 2.5 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF820APBF

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N° de stock RS:
178-0833
Référence fabricant:
IRF820APBF
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Series

IRF

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

50W

Forward Voltage Vf

1.6V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.41mm

Height

9.01mm

Standards/Approvals

No

Width

4.7 mm

Automotive Standard

No

The Vishay power MOSFET has low gate charge Qg results in simple drive requirement and it has improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness.

Operating junction and storage temperature range - 55 to + 150°C

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