onsemi Isolated 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 680 mA, 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC6321C

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354-4985
Référence fabricant:
FDC6321C
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P, Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

680mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.1nC

Maximum Power Dissipation Pd

900mW

Forward Voltage Vf

0.89V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-8/8 V

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

No

Height

1mm

Width

1.7 mm

Length

3mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Digital FETs, Fairchild Semiconductor


MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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