onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET, 680 mA, 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

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145-5305
Référence fabricant:
FDV303N
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

680mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Series

UniFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

450mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.64nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Power Dissipation Pd

350mW

Forward Voltage Vf

-1.6V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.92mm

Height

0.93mm

Width

1.3 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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