Vishay SIRS Type P-Channel MOSFET, 198 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4401DP-T1-GE3

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279-9967
Référence fabricant:
SIRS4401DP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

198A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SO-8

Series

SIRS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0022Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

588nC

Maximum Power Dissipation Pd

132W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

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