Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET, 265 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS5800DP-T1-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

4 524,00 €

(TVA exclue)

5 475,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 6 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 26 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +1,508 €4 524,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
279-9972
Référence fabricant:
SIRS5800DP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

265A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SIRS

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0018Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

122nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Liens connexes