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Vishay SiR Type P-Channel MOSFET, 105 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5211DP-T1-GE3

N° de stock RS:: 279-9947
Référence fabricant:: SIR5211DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiR Type P-Channel MOSFET, 105 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5211DP-T1-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 279-9947
Référence fabricant:: SIR5211DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	105A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SO-8
	Series	SiR
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0062Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	158nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	56.8W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5.15mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 105A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SO-8
	Series SiR
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0062Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 158nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 56.8W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5.15mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SIR5211DP-T1-GE3

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Fully lead (Pb)-free device

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