Vishay SiR Type P-Channel MOSFET, 60.6 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR4409DP-T1-RE3
- N° de stock RS:
- 279-9940
- Référence fabricant:
- SIR4409DP-T1-RE3
- Fabricant:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,718 € | 8,59 € |
| 50 - 95 | 1,288 € | 6,44 € |
| 100 - 245 | 1,142 € | 5,71 € |
| 250 - 995 | 1,12 € | 5,60 € |
| 1000 + | 1,10 € | 5,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 279-9940
- Référence fabricant:
- SIR4409DP-T1-RE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | SiR | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.009Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 126nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 59.5W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 5.15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series SiR | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.009Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 126nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 59.5W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 5.15mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
New generation power MOSFET
100 percent Rg and UIS tested
Ultra low RDS x Qg FOM product
Fully lead (Pb)-free device
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