Vishay SiR Type P-Channel MOSFET, 37.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5623DP-T1-RE3

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279-9952
Référence fabricant:
SIR5623DP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

37.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SiR

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.024Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

59.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

33nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5.15mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

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