Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET, 440 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4400DP-T1-RE3

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Référence fabricant:
SIRS4400DP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

440A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SO-8

Series

SIRS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00069Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

295nC

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

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