Vishay SiR Type N-Channel MOSFET, 55.9 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5108DP-T1-RE3

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

10,08 €

(TVA exclue)

12,195 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 6 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 452,016 €10,08 €
50 - 951,932 €9,66 €
100 - 2451,716 €8,58 €
250 - 9951,682 €8,41 €
1000 +1,648 €8,24 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
279-9942
Référence fabricant:
SIR5108DP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

55.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

SiR

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0105Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5.15mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Liens connexes