Vishay SI Type N-Channel MOSFET, 1.9 A, 100 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SI1480BDH-T1-GE3

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279-9890
Référence fabricant:
SI1480BDH-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

1.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SOT-363

Series

SI

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.212Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Fully lead (Pb)-free device

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