Vishay SI Type N-Channel MOSFET, 1.8 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2392BDS-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 279-9893
- Référence fabricant:
- SI2392BDS-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 20 unités)*
10,10 €
(TVA exclue)
12,22 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 23 juillet 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 0,505 € | 10,10 € |
| 40 - 80 | 0,442 € | 8,84 € |
| 100 - 280 | 0,395 € | 7,90 € |
| 300 - 980 | 0,387 € | 7,74 € |
| 1000 + | 0,378 € | 7,56 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 279-9893
- Référence fabricant:
- SI2392BDS-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | SI | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.149Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.1nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.1W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series SI | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.149Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.1nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.1W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
Fully lead (Pb)-free device
Very low RDS x Qg figure of merit
100 percent Rg and UIS tested
Liens connexes
- Vishay SI Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2392BDS-T1-GE3
- Vishay SI Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SI1480BDH-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2392ADS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2300DS-T1-GE3
- Vishay SI2324BDS N channel-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2324BDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2318HDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2302HDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2301HDS-T1-GE3