Vishay SI2324BDS N channel-Channel MOSFET, 1.9 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2324BDS-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 736-344
- Référence fabricant:
- SI2324BDS-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 1 unité)*
0,29 €
(TVA exclue)
0,35 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 02 juillet 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,29 € |
| 25 - 99 | 0,19 € |
| 100 + | 0,11 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 736-344
- Référence fabricant:
- SI2324BDS-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | SI2324BDS | |
| Package Type | SOT-23 (TO-236AB) | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.21Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 1.86nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.7W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series SI2324BDS | ||
Package Type SOT-23 (TO-236AB) | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.21Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.86nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.7W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- IL
The Vishay N-Channel MOSFET designed to optimise power management applications, featuring a robust 100V drain-source voltage rating and enhanced thermal characteristics for efficient operation.
The high thermal resistance performance enhances reliability
Designed for LED backlighting and DC/DC converter applications
Liens connexes
- Vishay SI Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SI1480BDH-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2318HDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2302HDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2392ADS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2300DS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2301HDS-T1-GE3
- Vishay SI Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2392BDS-T1-GE3
- Vishay Si2338DS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 Si2338DS-T1-GE3