Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 0.52 A, 150 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SI1411DH-T1-GE3

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180-7915
Référence fabricant:
SI1411DH-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

0.52A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.6Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.2nC

Maximum Power Dissipation Pd

1W

Forward Voltage Vf

-1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

2.2mm

Width

2.4 mm

Height

1.1mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay Siliconix SI1411DH series TrenchFET P channel power MOSFET has drain to source voltage of 150 V. It is used in active clamp circuits in DC/DC power supplies.

Small, thermally enhanced SC-70 package

Ultra low on-resistance

Pb-free

Halogen free

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