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Vishay TrenchFET Type P-Channel Power MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SIA449DJ-T1-GE3

N° de stock RS:: 814-1213
Référence fabricant:: SIA449DJ-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel Power MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SIA449DJ-T1-GE3

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N° de stock RS:: 814-1213
Référence fabricant:: SIA449DJ-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SOT-363
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.038Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-0.8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	19W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	23.1nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	0.8mm
	Length	2.15mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series TrenchFET
	Package Type SOT-363
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.038Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -0.8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 19W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23.1nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Height 0.8mm
	Length 2.15mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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