Vishay TrenchFET Type P-Channel Power MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SIA449DJ-T1-GE3

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814-1213
Référence fabricant:
SIA449DJ-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-363

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.038Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Forward Voltage Vf

-0.8V

Maximum Power Dissipation Pd

19W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23.1nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

2.15 mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

2.15mm

Height

0.8mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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