STMicroelectronics GaN N-Channel MOSFET Transistor, 25 A, 750 V, 4-Pin PowerFLAT 5x6 HV SGT65R65AL

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N° de stock RS:
275-1318
Référence fabricant:
SGT65R65AL
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

750 V

Package Type

PowerFLAT 5x6 HV

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

GaN

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics e-mode powerGaN transistor combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.

Very high switching speed
High power management capability
Extremely low capacitances
Kelvin source pad for optimum gate driving
Zero reverse recovery charge

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