STMicroelectronics ST8L65N0 N channel-Channel Power MOSFET, 44 A, 650 V N, 5-Pin PowerFlat HV ST8L65N065DM9
- N° de stock RS:
- 762-552
- Référence fabricant:
- ST8L65N065DM9
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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| 10 - 24 | 3,79 € |
| 25 - 99 | 3,72 € |
| 100 - 499 | 3,18 € |
| 500 + | 2,98 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 762-552
- Référence fabricant:
- ST8L65N065DM9
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 44A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PowerFlat HV | |
| Series | ST8L65N0 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 65mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 223W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 78nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Height | 0.95mm | |
| Length | 8.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 44A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PowerFlat HV | ||
Series ST8L65N0 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 223W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 78nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Height 0.95mm | ||
Length 8.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics N Channel Super Junction Power MOSFET is a high efficiency power device built on Advanced MDmesh M9 super junction technology. It is designed for medium to high voltage applications where low conduction losses and fast switching are critical.
Very low FOM
Higher dv/dt capability
Excellent switching performance
100% avalanche tested