Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET, 63 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ113N10NM5LF2ATMA1
- N° de stock RS:
- 349-154
- Référence fabricant:
- ISZ113N10NM5LF2ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 50 - 95 | 1,736 € | 8,68 € |
| 100 - 495 | 1,608 € | 8,04 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 349-154
- Référence fabricant:
- ISZ113N10NM5LF2ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 63A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PG-TSDSON-8 | |
| Series | ISZ | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 23nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 63A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PG-TSDSON-8 | ||
Series ISZ | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 11.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- MY
The Infineon OptiMOS Linear FET is a revolutionary approach that solves the trade-off between on-state resistance and linear mode capability. Combined with the low cost, low profile PQFN 3.3x3.3 package, it is targeted for soft start and current limiting purpose in Power over Ethernet (PoE) application.
Wide safe operating area
Low RDS(on)
High max. pulse current
High max. continuous current
Available in small low profile package
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