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Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET, 63 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ113N10NM5LF2ATMA1

N° de stock RS:: 349-154
Référence fabricant:: ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET, 63 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ113N10NM5LF2ATMA1

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50 - 95	1,964 €	9,82 €
100 - 495	1,818 €	9,09 €
500 - 995	1,672 €	8,36 €
1000 +	1,61 €	8,05 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 349-154
Référence fabricant:: ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	63A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	ISZ
	Package Type	PG-TSDSON-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	11.3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	100W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	23nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 63A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series ISZ
	Package Type PG-TSDSON-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 11.3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 100W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - ISZ113N10NM5LF2ATMA1

Pays d'origine :: MY

The Infineon OptiMOS Linear FET is a revolutionary approach that solves the trade-off between on-state resistance and linear mode capability. Combined with the low cost, low profile PQFN 3.3x3.3 package, it is targeted for soft start and current limiting purpose in Power over Ethernet (PoE) application.

Wide safe operating area

Low RDS(on)

High max. pulse current

High max. continuous current

Available in small low profile package

Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET, 63 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ113N10NM5LF2ATMA1

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