Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET, 63 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ113N10NM5LF2ATMA1
- N° de stock RS:
- 349-154
- Référence fabricant:
- ISZ113N10NM5LF2ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
14,22 €
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,844 € | 14,22 € |
| 50 - 95 | 2,702 € | 13,51 € |
| 100 - 495 | 2,504 € | 12,52 € |
| 500 - 995 | 2,302 € | 11,51 € |
| 1000 + | 2,22 € | 11,10 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 349-154
- Référence fabricant:
- ISZ113N10NM5LF2ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 63A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PG-TSDSON-8 | |
| Series | ISZ | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 63A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PG-TSDSON-8 | ||
Series ISZ | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 11.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- MY
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