Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET, 10 A, 700 V Enhancement, 4-Pin PG-VSON-4

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273-5350
Référence fabricant:
IPL65R230C7AUMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Series

CoolMOS C7

Package Type

PG-VSON-4

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.23Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

0.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

67W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC(J-STD20 andJESD22)

Automotive Standard

No

The Infineon Power MOSFET constructed with CoolMOS™ revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. It is designed according to the super junction principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits of fast switching super junction MOSFETs offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.

Halogen free

Better efficiency

Pb free lead plating

High power density

Better control of the gate

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