Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET, 15 A, 650 V Enhancement, 5-Pin VSON IPL65R130C7AUMA1

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214-9079
Référence fabricant:
IPL65R130C7AUMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

15A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

VSON

Series

CoolMOS C7

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

130mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

102W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

35nC

Height

1.1mm

Width

8.1mm

Standards/Approvals

No

Length

8.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits of fast switching super junction MOSFETs offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.

Easy to use/drive due to driver source pin for better control of the gate

Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)

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