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Infineon IPU Type N-Channel MOSFET, 9 A, 950 V Enhancement, 3-Pin PG-TO251-3

N° de stock RS:: 273-3024
Référence fabricant:: IPU95R750P7AKMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon IPU Type N-Channel MOSFET, 9 A, 950 V Enhancement, 3-Pin PG-TO251-3

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Unité	Prix par unité	le paquet*
5 - 5	1,668 €	8,34 €
10 - 20	1,514 €	7,57 €
25 - 45	1,39 €	6,95 €
50 - 95	1,286 €	6,43 €
100 +	1,19 €	5,95 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 273-3024
Référence fabricant:: IPU95R750P7AKMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	950V
	Package Type	PG-TO251-3
	Series	IPU
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.75Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	73W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	23nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS, JEDEC
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 950V
	Package Type PG-TO251-3
	Series IPU
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.75Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 73W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS, JEDEC
	Automotive Standard No

Datasheet - IPU95R750P7AKMA1

The Infineon power MOSFET is designed to meet the growing consumer needs in the high voltage MOSFETs arena, the latest 950V Cool MOS P7 technology focuses on the low power SMPS market. The integrated diode considerably improves ESD robustness, thus reduci

Easy to drive and to design in

Better production yield by reducing ESD related failures

Less production issues and reduced field returns

Infineon IPU Type N-Channel MOSFET, 9 A, 950 V Enhancement, 3-Pin PG-TO251-3

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