Infineon IPU Type N-Channel MOSFET, 9 A, 950 V Enhancement, 3-Pin PG-TO251-3
- N° de stock RS:
- 273-3024
- Référence fabricant:
- IPU95R750P7AKMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 1,66 € | 8,30 € |
| 10 - 20 | 1,508 € | 7,54 € |
| 25 - 45 | 1,384 € | 6,92 € |
| 50 - 95 | 1,282 € | 6,41 € |
| 100 + | 1,184 € | 5,92 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-3024
- Référence fabricant:
- IPU95R750P7AKMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 950V | |
| Package Type | PG-TO251-3 | |
| Series | IPU | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.75Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 73W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, JEDEC | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 950V | ||
Package Type PG-TO251-3 | ||
Series IPU | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.75Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 73W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS, JEDEC | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET is designed to meet the growing consumer needs in the high voltage MOSFETs arena, the latest 950V Cool MOS P7 technology focuses on the low power SMPS market. The integrated diode considerably improves ESD robustness, thus reduci
Easy to drive and to design in
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