Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 6 A, 950 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

9,24 €

(TVA exclue)

11,18 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 80 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 451,848 €9,24 €
50 - 951,678 €8,39 €
100 - 2451,54 €7,70 €
250 - 9951,42 €7,10 €
1000 +1,316 €6,58 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
273-2786
Référence fabricant:
IPD95R1K2P7ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

950V

Package Type

PG-TO252-3

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.2Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is a 950V CoolMOS P7 SJ power device. The latest 950V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 950V super junction technologies and combines best in class performance with state of the art ease of use. Enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly costs. It provides better production yield by reducing ESD related failures.

Less production issues

Fully optimized portfolio

Easy to drive and to parallel

Integrated Zener Diode ESD protection

Liens connexes